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텅스텐 금속은 자연에서 금속의 높은 융해 점

서 안 Kefeng 분말 야 금 (주) | Updated: Sep 25, 2017

텅스텐 금속 사용: 텅스텐 광 석, 용융 제 련, 약 35% 하드 강철, 텅스텐 필 라 멘 트, 텅스텐 금속 약 5% 다른 용도로 다른 약 10%의 생산에 대 한 높은-품질 철강에 대 한 약 50%의 세계의 착취. 텅스텐 폐기물 재활용 전문가 따라 텅스텐 총기, 로켓 추진, 노즐, 절단 금속 블레이드, 드릴, 슈퍼 하드 금형, 다이, 등을 그림으로 만들 수 있습니다, 텅스텐은 널리 이용 된다, 광업, 야 금 술, 건축, 관련 된 이해 교통, 전자, 화학, 경공업, 섬유, 군사, 항공 우주, 과학 및 기술, 다양 한 산업 분야

텅스텐 금속 주요 목적:

1, 칼 머리, 조명 텅스텐 와이어 및 열 전도도;의 다양 한 장비와 처리

2, 고급 자동차 크랭크축, 실린더 주조 특수 철강 재료;의 다양 한 재료의 제조

3, 화기, 포병, 로켓, 인공위성, 항공기에서 널리 이용 되는 제조 제공.

텅스텐 비 철 금속 이며 또한 "무거운 돌"로 알려진 고 대 시대에는 중요 한 전략적 금속, 텅스텐 광 석입니다. 표면에 텅스텐의 내용은 0.001% 이다. 텅스텐 금속은 20 종류의 포함 하는 텅스텐 광물 발견. 텅스텐 예금 화강암 연 괴의 활동에 의해 일반적으로 형성 된다. 텅스텐 제 련은 빛나는 금속 후, 녹는점은 매우 높은 경도. 텅스텐 금속 텅스텐 주기율표에서 6 주기 (두 번째 긴 기간)의 VIB 가족에 속하는 희귀, 고 융 점 금속 이다. 텅스텐은은 백색 금속, 강철 같은입니다.

텅스텐의 높은 녹는점, 증기압은 증발 속도 또한 작은, 매우 낮은. 텅스텐 화학 속성 매우 안정, 실내 온도에 공기와 물, 염 산, 황산, 질 산 및 알칼리 성 해결책에서 불용 성 반응 하지 않습니다. 텅스텐 금속 왕 물만의 표면 산화, 질소 산 및 수 소산 혼합물에서 녹는 만들 수 있습니다. 높은 온도와 염소, 브롬, 요오드, 탄소, 질소, 유황 및 다른 조합 아니지만 수소.

텅스텐 금속 다른 합금-텅스텐 티타늄 합금, 텅스텐 크롬 코발트 합금, 등등, 또한 유명한 카바 이드. 텅스텐의 화학 속성은 매우 안정, 텅스텐 금속 난방의 경우에, 염 산, 황산와 함께 하지 것입니다 또는 텅스텐 표면 전용의 단지 산화는-아쿠아 레 지아에서 물에 녹아도 하지. 강한 부식성 hydrofluoric 산 및 질소 산 혼합물, 텅스텐을 디졸브 수 있습니다. 텅스텐을 텅스텐 요오드 화물의 많은 화합물은 텅스텐 브 로마 이드 새로운 광원;를 만들기 위하여 이용 될 수 있다 텅스텐 금속 나트륨 tungstate 피복; 불 수 있도록 사용할 수 있습니다. 리드 tungstate 백색 안료로 사용할 수 있습니다, 그리고 텅스텐 산화물 노란색 안료. 지 각, 텅스텐 콘텐츠에서는 4 백 1/1000입니다. 중국의 텅스텐 매장 량, 세계에 대 한 회계의 첫! 대부분, 광시, 광 동, 호남 및 다른 곳의 장시 Geshan 산 소유에 풍부한 텅스텐에 있습니다.

텅스텐 금속 고 강도, 높은 경도, 낮은 저항 특성을 동시에 금속 (3410 ℃), 가장 높은 융해 점입니다. 텅스텐 금속 높은 온도, 충격 저항, 마모 저항, 좋은 열 안정성에 높은 온도 조건 하에서 장치의 안정성을 확인, MEMS 장치는 잘 만들어진된 처리 및 제조 재료, 텅스텐 금속 특히 높은 온도 및 다른 가혹한 또는 극단적인 환경에 대 한 전통적인 텅스텐 재료 물리 또는 화학 증 착 방법 양식 박막, 하지만 프로세스 제약 및 스트레스를 사용 하 고 다른 이유, 필름 두께 일반적으로 이상의 2 미크론에 영향을 미치는 장치 디자인 및 제조. 이 소자 들은 더 우수한 해야한다 MEMS 스위치, MEMS 공 진 기, MEMS 프로브, 마이크로 EDM 전극 장치는 기존의 단 결정 실리콘 재료 대신 구조 물자로 텅스텐 금속 재료를 사용 하 여 날조 될 수 있다, 하는 경우 전기, 기계 및 높은 온도 다른 특성 텅스텐 금속 텅스텐 금속은 반도체 칩 테스트 프로브의 주요 소재 이다. 칩 피치의 감소, 프로브 및 프로브 카드 또한 새로운 마이크로 처리 방법, 현재 단일 크리스탈 실리콘 있지만 카드와 비교 하 여 소형 필요가), 높은 경도, 마이크로 프로브 (카드)을 형성 하는 텅스텐 금속 재료 낮은 마모 율, 낮은 저항, 텅스텐 금속 높은 안정성 장점. 때문에 높은 밀도 및 높은 텅스텐 금속, 전통적인 반응성 이온 에칭 과정의 경도 속도 측면 부식을 에칭 매우 낮은 있다. 그것은 깊은 깊이 상대적으로 짧은 시간에 높은 종횡비 실현 하지 않을 수 있습니다. 부식, MEMS 디바이스의 제조 요구 사항에 맞지 않을 수 있습니다. 따라서, 텅스텐 텅스텐 금속의 현재 응용 프로그램은 물리적 또는 화학 증 착 방법 준비 미만 2 미크론의 레이어를 통해 집적 회로 과정에서 박막, 금속과 다음 전통적인 반응성 이온 에칭 프로세스를 사용 하 여 금속 격자, 금속 상호, 금속 다이오드 장치 준비 처리, 등등, 에칭 가스 또는 가스 조합 CF4, CF4 + 02, Cl2, Cl2 + 02, SF6, SF6 02, NF3, CCl4 포함의 사용 + 02, 등 (PEI), 반응성 플라즈마 에칭 (RIE), 전자 싸이 클 로트 론 공명 플라즈마 에칭 (ECR), 상대적으로 낮은 플라즈마 밀도 (IOici-IO12cnT3 미만), 낮은 에너지, 결과 etch 속도 등은 일반적으로 분당 보다 훨씬 적은 1 미크론. 현재, MEMS 장치를의 준비의 주요 구조로 텅스텐 금속 재료를 사용 하 여 아무 관련된 보고서 및 기존 박막 텅스텐 소재 에칭 프로세스 속도 일반적으로 낮은, 이방성은 가난, 텅스텐 금속 될 주요 병목 현상입니다. 텅스텐 금속 재료의 처리에 적용 가능한 높은 속도 달성할 수 있다, 에칭 과정의 높은 종횡비를 보고 하지 않은.